设为首页
 加入收藏
首页 关于我们 新闻中心 设备 材料 技术服务 客户需求 诚聘英才 联系我们
原位实验设备
高压DAC设备
高低温设备
X射线相关设备
真空设备
常用仪器
实验室基本设备
靶材
衬底材料
窗口材料
非金属材料
实验样品
材料加工
其他材料
实验室整体建设
学术会议服务
测试服务
数据分析服务

陶瓷基片
氮化铝(AlN)

简介:

用途:AlN具有热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性的特点,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。

特点:北京瑞发致远能提供常规AlN和金属化的AlN基片。即在AlN表面镀一层金属层,其附着力在1.5-3.0之间,可焊性好。

参数:


AlN单晶基片
密度 3.20-3.26g/cm3
纯度 >99.99%
热膨胀系数 4.2-4.5ppm/℃
介电常数 8.7-9.0
抛光 单面或双面
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒
关于我们 | 招聘信息| 联系我们
Copyright (C)i网 2004-2011,All Rights Reserved | 京ICP证88889号 材料制品经营许可证 京网备0101号