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闪烁晶体及基片
锗酸铋

简介:

   BGO有多种同素异构体。其中Bi4Ge3O12为立方晶系,点群43m。熔点1050℃。在可见光、X射线、α和γ射线的激发下可产生荧光。激发光谱305nm,荧光光谱480~510nm,光输出温度系数-1%/℃,临界能量10.5MeV。具有良好的闪烁性能,不吸潮、抗冲击,易于加工,化学性能稳定,不存在因掺杂不均引起的发光强度不均匀问题。有效原子系数高,荧光衰减时间短,有利于快速计算。用提拉法或下降法在大气气氛下生长。为高能射线的闪烁探测材料,用于正负电子对撞机。

参数:

锗酸铋
晶向 <001><110>
尺寸 Φ30×(0.550)mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 ≤5Å
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒

 
 




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