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GaN薄膜单晶基片
ScAlMgO4

 简介:

     ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料(GaN:1.8%, ZnO:0.09%)。a轴的热膨胀系数为与GaN、ZnO外延薄膜之间的热膨胀系数失配比传统的蓝宝石和硅等衬底好的多。

参数:

晶体结构 六方(a=3.246Å,c=25.195Å)
纯度 99.99%
热膨胀系数 6.2×10-6/℃ at A axis,12.2×10-6/℃ at C axis
介电常数 ~9.4(300k) ~ 11.58(300k)
晶向 <001>±0.5o
尺寸 5×5×0.5mm, 10×10×0.5mm, 15×15×0.5mm, 20×20×0.5mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 ≤5Å
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒


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