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GaN薄膜单晶基片
碳化硅(SiC)晶体及基片

 简介:

     SiC单晶具有许多优良的性质,热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等,适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件。

参数:

晶体结构 六方(a=3.08Å,c=15.08Å)
纯度 99.99%
介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
晶向 <001>±0.5o
尺寸 dia2”×0.33mm dia2”×0.43mm,15×15 mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 ≤5Å
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒


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