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III-V或II-VI化合物晶体基片
磷化镓(GaP)晶体及基片

简介:

    生产红、绿色LED的主要衬底材料,也是生产LED用量最大的衬底材料。 特点:可提供本征、轻掺杂、重掺杂(掺S)的单晶GaP片

参数:

生长方法 LEC
晶体结构 立方
密度 4.13g/cm3
纯度 本征、轻掺杂、重掺杂
晶向 <111>±0.5°,或特殊方向
尺寸 Φ50mm×(0.3~200)mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 ≤5Å
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒


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