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III-V或II-VI化合物晶体基片
砷化镓(GaAs)晶体及基片

简介:

    GaAs是继Si之后研究最深入、应用最广泛的一种新型半导体材料。它具有迁移率高、禁带宽度大、耐高温等特点。主要应用于高频通讯、无线网络及光电子领域,如LED发光器、太阳能电池板等。 特点:可提供本征、轻掺杂、重掺杂(掺Si、Cr、Fe或Zn)的单晶GaAs片

参数:

生长方法 LEC,HB
晶体结构 立方
密度 5.37g/cm3
纯度 本征、轻掺杂、重掺杂
尺寸 Φ1″~8″×(0.25~200)mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 位错密度<105
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒
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