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III-V或II-VI化合物晶体基片
氧化锌(ZnO)晶体及基片
简介:用途:氧化锌单晶是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。 特点:可提供本征,铟和镓掺杂的ZnO单晶基片。

参数:
纯度 99.99%
热膨胀系数 6.5 x 10-6 /℃ at A axis, 3.7 x 10-6 /℃ at A axis
晶向 <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o
尺寸 25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 ≤5Å
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒
表面粗糙度 ≤10Å
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒

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